NTE2639 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 12 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 825 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1.75A, 7A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4 @ 7A, 1V
Leistung – Max.: 45 W
Frequenz - Übergang: -
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TOP-3D, TOP-3E
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-399