2N4398 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: PNP
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6A, 30A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
Leistung – Max.: 5 W
Frequenz - Übergang: 4MHz
Betriebstemperatur: -65°C~200°C
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-204AA, TO-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-3