NTE2676 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.5A, 6A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
Leistung – Max.: 50 W
Frequenz - Übergang: 1.7MHz
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-3P-3 Full Pack
Gerätepaket des Lieferanten: TO-3P(H)IS