NTE376 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200 mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 300 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2µA
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 10V
Leistung – Max.: 15 W
Frequenz - Übergang: 70MHz
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220