TIP35E NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 25 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 140 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 6.25A, 25A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 4V
Leistung – Max.: 125 W
Frequenz - Übergang: 3MHz
Betriebstemperatur: -65°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247