2N3054 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 6V @ 1A, 3A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 4V
Leistung – Max.: 25 W
Frequenz - Übergang: 3MHz
Betriebstemperatur: -65°C~200°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-213AA, TO-66-2
Gerätepaket des Lieferanten: TO-66