NTE164 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 700 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 8.5V @ 600mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 2A, 15V
Leistung – Max.: 50 W
Frequenz - Übergang: 3MHz
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-204AA, TO-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-3