NTE214 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 10mA, 5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 5A, 2V
Leistung – Max.: 2.5 W
Frequenz - Übergang: 20MHz
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-3P-3, SC-65-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-3P