NTE2675 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 6 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 800 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Leistung – Max.: 100 W
Frequenz - Übergang: -
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-3P-3, SC-65-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-3PN