NTE102 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: PNP
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150 mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 24 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 24mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5µA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 12mA, 150mV
Leistung – Max.: 150 mW
Frequenz - Übergang: -
Betriebstemperatur: -65°C~100°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Gerätepaket des Lieferanten: TO-5