NTE2679 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 6 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1.5 kV
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 750mA, 3A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 3A, 5V
Leistung – Max.: 2 W
Frequenz - Übergang: 3MHz
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220