NTE165 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 700 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 2A, 4.5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2.25 @ 4.5A, 5V
Leistung – Max.: 12.5 W
Frequenz - Übergang: 7MHz
Betriebstemperatur: 115°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-204AA, TO-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-3