NTE391 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: PNP
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 2.5A, 10A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 700µA
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 4V
Leistung – Max.: 80 W
Frequenz - Übergang: 3MHz
Betriebstemperatur: -65°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-3P-3, SC-65-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-3PN