2N3584 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 250 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 125mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 10V
Leistung – Max.: 35 W
Frequenz - Übergang: -
Betriebstemperatur: -65°C~200°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-213AA, TO-66-2
Gerätepaket des Lieferanten: TO-66