BDV64 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: PNP
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 12 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Leistung – Max.: 125 W
Frequenz - Übergang: 60MHz
Betriebstemperatur: -
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-218-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-218