NTE315 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200nA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 199 @ 100mA, 2V
Leistung – Max.: 750 mW
Frequenz - Übergang: -
Betriebstemperatur: 120°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Gerätepaket des Lieferanten: TO-92L