NTE129 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: PNP
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Leistung – Max.: 1.25 W
Frequenz - Übergang: -
Betriebstemperatur: -65°C~200°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Gerätepaket des Lieferanten: TO-39