NTE267 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500 mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90000 @ 200mA, 5V
Leistung – Max.: 6.25 W
Frequenz - Übergang: 75MHz
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-202 Long Tab
Gerätepaket des Lieferanten: TO-202