NTE292 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: PNP
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 120 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 4A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1.5A, 4V
Leistung – Max.: 1.8 W
Frequenz - Übergang: 4MHz
Betriebstemperatur: -65°C~150°C
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220