2N4123 Harris Corporation Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: Harris Corporation
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200 mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V
Leistung – Max.: 350 mW
Frequenz - Übergang: 250MHz
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gerätepaket des Lieferanten: TO-92