NTE289 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 800 mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 20mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Leistung – Max.: 600 mW
Frequenz - Übergang: 140MHz
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gerätepaket des Lieferanten: TO-92