NTE157 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500 mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 300 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 10V
Leistung – Max.: 20 W
Frequenz - Übergang: 10MHz
Betriebstemperatur: -65°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-225AA, TO-126-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-126