NTE373 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 160 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 150mA, 5V
Leistung – Max.: 1 W
Frequenz - Übergang: 140MHz
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-225AA, TO-126-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-126