NTE16006 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 700 mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 150mA, 10V
Leistung – Max.: 1 W
Frequenz - Übergang: 55MHz
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: 3-SIP
Gerätepaket des Lieferanten: 3-SIP