NTE2657 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Leistung – Max.: 1 W
Frequenz - Übergang: 175MHz
Betriebstemperatur: -55°C~200°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gerätepaket des Lieferanten: TO-92