MJE3055T NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 700µA
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Leistung – Max.: 75 W
Frequenz - Übergang: 2MHz
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220