2N5496 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 7 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 70 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 4V
Leistung – Max.: 40 W
Frequenz - Übergang: 4MHz
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220