TIP126 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: PNP - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V
Leistung – Max.: 65 W
Frequenz - Übergang: 4MHz
Betriebstemperatur: -65°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220-3