TIP111 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V
Leistung – Max.: 50 W
Frequenz - Übergang: 25MHz
Betriebstemperatur: -65°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220-3