2SC1213AB-E Renesas Electronics America Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500 mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 15mA, 150mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 3V
Leistung – Max.: 400 mW
Frequenz - Übergang: -
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gerätepaket des Lieferanten: TO-92