2SA1052MDTR-E Renesas Electronics America Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
Transistortyp: PNP
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100 mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 12V
Leistung – Max.: 150 mW
Frequenz - Übergang: -
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket des Lieferanten: 3-MPAK