TTA1452B,S4X Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
Transistortyp: PNP
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 12 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 6A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5µA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V
Leistung – Max.: 2 W
Frequenz - Übergang: 50MHz
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-220-3 Full Pack
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220SIS