BUX10 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 25 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 125 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 2A, 20A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1.5mA
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 2V
Leistung – Max.: 150 W
Frequenz - Übergang: 8MHz
Betriebstemperatur: 200°C(TJ)
Montageart: Chassis Mount
Verpackung / Koffer: TO-204AA, TO-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-3