MPSA12 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN - Darlington
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 10mA, 5V
Leistung – Max.: 625 mW
Frequenz - Übergang: -
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Gerätepaket des Lieferanten: TO-92 (TO-226)