MPSA05 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500 mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V
Leistung – Max.: 625 mW
Frequenz - Übergang: 100MHz
Betriebstemperatur: -
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Gerätepaket des Lieferanten: TO-92