Menü

TBC857B,LM Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

{{ product.price_format }}
{{ product.origin_price_format }}
Lager:
Model: {{ product.model }}

{{ variable.name }}

{{ value.name }}
Angebot anfordern

Beschreibung Ihrer Anforderungen

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
Transistortyp: PNP
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150 mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 100mA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 30nA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V
Leistung – Max.: 320 mW
Frequenz - Übergang: 80MHz
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-23-3
Basisproduktnummer: TBC857

Datasheet

Abbrechen Senden
Bewertung veröffentlichen
Erste Bewertung veröffentlichen
  • {{ item.user_name }}
    {{ item.content }}
    Loading...
    {{ item.created_at }} {{ item.order_product_name }}