PDTC115EMB,315 NXP Semiconductors Transistoren – Bipolar (BJT) – Einfach vorgespannt

Hersteller: NXP Semiconductors
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20 mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50 V
Widerstand - Basis (R1): 100 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2): 100 kOhms
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA
Frequenz - Übergang: 230 MHz
Leistung – Max.: 250 mW
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: SC-101, SOT-883
Gerätepaket des Lieferanten: DFN1006B-3