PDTA144TMB,315 NXP USA Inc. Transistoren – Bipolar (BJT) – Einfach vorgespannt

Hersteller: NXP USA Inc.
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
Transistortyp: PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100 mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50 V
Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA
Frequenz - Übergang: 180 MHz
Leistung – Max.: 250 mW
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: SC-101, SOT-883
Gerätepaket des Lieferanten: DFN1006B-3