NTE2367 NTE Electronics, Inc Transistoren – Bipolar (BJT) – Einfach vorgespannt

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100 mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50 V
Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
Frequenz - Übergang: 250 MHz
Leistung – Max.: 300 mW
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Gerätepaket des Lieferanten: TO-92S