RN1106MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren – Bipolar (BJT) – Einfach vorgespannt

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: Automotive, AEC-Q101
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100 mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50 V
Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
Leistung – Max.: 150 mW
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: SOT-723
Gerätepaket des Lieferanten: VESM