GE12160CEA3 GE Aerospace Transistoren - FETs MOSFETs - Arrays

Hersteller: GE Aerospace
Serie: SiC Power
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV)
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 1.425kA (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 475A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 3744nC @ 18V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 90000pF @ 600V
Leistung – Max.: 3.75kW (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(Tc)
Montageart: Chassis Mount
Verpackung / Koffer: Module
Gerätepaket des Lieferanten: -