GE17045EEA3 GE Aerospace Transistoren - FETs MOSFETs - Arrays

Hersteller: GE Aerospace
Serie: SiC Power
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1700V (1.7kV)
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 425A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 4.45mOhm @ 425A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 160mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 1207nC @ 18V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 29100pF @ 900V
Leistung – Max.: 1250W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(Tc)
Montageart: Chassis Mount
Verpackung / Koffer: Module
Gerätepaket des Lieferanten: -