Hersteller: CISSOID
Serie: -
Paket: Tray
Produktstatus: Active
FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV)
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 450A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 300A
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 295nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 30000pF @ 600V
Betriebstemperatur: -40°C~175°C(TJ)
Montageart: Chassis Mount
Verpackung / Koffer: Module
Gerätepaket des Lieferanten: Module
