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UPA2792AGR-E1-AT Renesas Electronics America Inc Transistoren - FETs MOSFETs - Arrays

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Beschreibung Ihrer Anforderungen

Hersteller: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N and P-Channel
FET-Funktion: Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 10A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 10V
Leistung – Max.: 2W
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 8-PowerSOIC (0.173\ 4.40mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten: 8-SOP

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