Hersteller: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion: Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 4A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V
Leistung – Max.: 2W
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 8-SOIC (0.173\ 4.40mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten: 8-PSOP
