HAT2218R-EL-E Renesas Electronics America Inc Transistoren - FETs MOSFETs - Arrays

Hersteller: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 7.5A, 8A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 3.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 10V
Leistung – Max.: 1.5W
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten: 8-SOP