BSM120D12P2C005 Rohm Semiconductor Transistoren - FETs MOSFETs - Arrays

Hersteller: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV)
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 120A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: -
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 22mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 10V
Leistung – Max.: 780W
Betriebstemperatur: -40°C~150°C(TJ)
Verpackung / Koffer: Module
Gerätepaket des Lieferanten: Module
Basisproduktnummer: BSM120