Menü

SIZ260DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistoren - FETs MOSFETs - Arrays

{{ product.price_format }}
{{ product.origin_price_format }}
Lager:
Model: {{ product.model }}

{{ variable.name }}

{{ value.name }}
Angebot anfordern

Beschreibung Ihrer Anforderungen

Hersteller: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET® Gen IV
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion: Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 8.9A (Ta), 24.7A (Tc), 8.9A (Ta), 24.6A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 10A, 10V, 24.7mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 40V
Leistung – Max.: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 8-PowerWDFN
Gerätepaket des Lieferanten: 8-PowerPair® (3.3x3.3)
Basisproduktnummer: SIZ260

Datasheet

Abbrechen Senden
Bewertung veröffentlichen
Erste Bewertung veröffentlichen
  • {{ item.user_name }}
    {{ item.content }}
    Loading...
    {{ item.created_at }} {{ item.order_product_name }}