BSO615CGXUMA1 Infineon Technologies Transistoren - FETs MOSFETs - Arrays

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: SIPMOS®
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N and P-Channel
FET-Funktion: Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 3.1A (Ta), 2A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.1A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA, 2V @ 450µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5nC @ 10V, 20nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V, 460pF @ 25V
Leistung – Max.: 2W (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten: PG-DSO-8
Basisproduktnummer: BSO615