SI3900DV-T1-E3 Vishay Siliconix Transistoren - FETs MOSFETs - Arrays

Hersteller: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion: Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 2A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
Leistung – Max.: 830mW
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gerätepaket des Lieferanten: 6-TSOP
Basisproduktnummer: SI3900